来源:集邦咨询
根据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年的DRAM供给位元成长率约18.6%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅17.1%，明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。尽管DRAM价格将因供过于求而出现下滑，但在寡占市场型态下，整体产值并不会大幅下跌，预估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元，年增微幅上升0.3%。
TrendForce集邦咨询以明年各季度的供过于求比例（以下称：sufficiencyratio）作为预测基础，预期DRAM平均销售单价将年减15%，而价格下滑幅度在上半年较为明显；下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。
高层数产品竞争者众，NANDFlash明年产值再增7.4%
NANDFlash方面，2022年供给位元年增长率约31.8%；而需求位元年成长幅度为30.8%，故明年NANDFlash价格也将受供过于求影响而有所下滑。此外，由于NANDFlash属完全竞争市场，均价下滑的幅度较DRAM更加明显，然NANDFlash在层数结构的堆栈持续推进，故在供给位元成长仍维持在30%以上的情况下，预估2022年NANDFlash总产值仍有成长空间，达741.9亿美元、年增7.4%。
同样以明年各季度的sufficiencyratio作为预测基础，推估2022年平均销售单价将年减18.0%，而价格下滑幅度也是在上半年度较为明显，下半年起将受惠于旺季需求效应带动，均价跌幅较为收敛，或有单季价格持平的可能性。
整体而言，DRAM与NANDFlash历年的总产值变化，由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有规律，故长期均价的波动性较小，同时20nm以下制程微缩已经逐渐达到物理极限，使得年度位元成长增幅有限；而NANDFlash在产能扩张的规划则较不稳定，再加上产品的层数仍能持续提升，故长期均价的波动性较大，进而呈现DRAM产值成长幅度不及NANDFlash的态势，但获利表现方面则反之。
资本支出持续拉高，产值若无法跟进成长，恐压抑厂商获利能力
从资本支出来看，DRAM方面，近年来其整体资本支出对营收占比（以下称：CAPEXtosalesratio）逐渐升高有两大原因，首先，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍造就有近30%的单晶圆位元成长外，其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程，成长已经收敛至15%以内。2022年三星（Samsung）与SK海力士（SKhynix）的最先进制程将正式导入关键机台EUV，而该机台的生产交期长且造价高昂，使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出，以因应EUV的前置订单。
其次，由于DRAM已形成寡占市场型态，即便偶尔出现均价下跌周期，也因为供应商的生产秩序形成，销售均价难以跌破总生产成本（fullyloadedcost），故DRAM原厂能够逐渐累积来自该产品的生产获利。由于制程转进不易，除三大原厂以外，市占较小的南亚科（NanyaTech）、华邦（Winbond）等厂商皆有实际扩产计划，成为DRAM市场CAPEXtosalesratio持续升高的另一大原因。
NANDFlash方面，其CAPEXtosalesratio自2017年转进3DNAND技术以来即有显著提升，该年之前平均达25~30%，目前提升到平均近40%。主因是随着3D堆栈层数的上升，除了拉长产品生产所需时间，对于蚀刻难度、精准度的要求也一并提升，主流层数正朝向1YY层世代迈进，供应商同时开始研发2XX层产品技术，对于单次蚀刻深度的要求不断增加，显示出该产业所需的资本支出总额随着层数提升、产值增加而持续成长。
TrendForce集邦咨询表示，由于NANDFlash堆栈层数的技术推进，未来供应商仍将持续追求推进更高层数，以降低每GB的生产成本。因此，预期该产业的资本支出仍有增长空间，且CAPEXtosalesratio将维持在接近40%或以上。值得注意的是，若未来数年产值无法跟进支出的成长速度，恐将造成CAPEXtosalesratio过度上升，进而压抑供应商获利能力。